村田半导体MOS工艺开发出高密度硅电容器

发布时间:2018-11-02| 发布者: 普利达电子| 所属栏目: 贴片电容

村田制作所的高密度硅电容器采用半导体MOS工艺开发,并使用第三维来大幅增加电容器表面,从而增加电容,而不会增加电容器占位面积。Murata硅技术基于嵌入单晶硅基板(单MIM和多MIM - 金属绝缘体金属)的单片结构。

更小的封装中的更高性能

这种先进的3D拓扑结构可提供相当于80个陶瓷层的显影区域,其有效电容区域的厚度为100μm(根据要求可提供较低值)。由于具有非常线性和低色散的电介质,因此优化了小型化,电容值和电气性能。


细分市场:网络(RF电源和宽带),高可靠性,医疗,汽车和通信。


1、ATSC系列:汽车高温电容可达200℃

2、LPSC系列:薄型电容器低至100μm

3、ETSC / EXSC系列:高温可焊线电容器可达250℃

4、MGSC系列:医疗级电容器

5、UBEC / BBEC / ULEC系列:超宽带可焊接嵌入式电容器,最高可达60GHz。

6、WLSC系列:可焊接的垂直薄型电容器,最小100μm。

7、UWSC系列:超大带可焊接垂直电容器,最高可达26GH。


8、XBSC / UBSC / BBSC / ULSC系列:超宽带表面贴装电容高达100GHz 。


Murata Silicon Technology是发展最快的技术之一,提供高度灵活的无源器件集成,如用于平衡 - 不平衡转换器的高Q电感器,电阻器,平面MIM电容器和沟槽MOS电容器,PLL环路滤波器,低通滤波器,RC滤波器,电源线去耦等。该技术提供完全兼容MOS后端技术用于一个完整的无源集成平台,可以是另外的杂一体化多芯片模块或倒装芯片与在SIP其他技术(CMOS,MEMS等) 。

<
>
深圳市普利达电子有限公司是一家专业电子元器件代理商,公司自成立以来一直专注于国际著名品牌元器件的推广,以便国内更多的企业共享来自全球知名厂商的产品。现已与多家知名企业建立良好的合作,是一家专业化、极具综合竞争力的元器件供应及整合企业。

联系我们

深圳市福田区华强北街道振华路海外装饰大厦A座三楼309室

0755-83262362-806(服务时间:9:00-18:00)

business@plddz.cn

在线咨询 新浪微博 官方微信官方微信

部门热线

前   台:0755-83262362-806
业务部:0755-83262362-806
客服部:0755-83262362-806
商务部:0755-83262362-806
财务部:0755-83262362-806

联系QQ 微信二维码 联系电话075583262362-806