村田可薄至100μm的引线键合嵌入用硅电容器

发布时间:2019-01-02| 发布者: 普利达电子| 所属栏目: 贴片电容

依靠村田应用半导体(硅)技术开发的独特的集成无源器件和设备(Integrated Passive Devices),可以解决此类需要高可靠性的用途的各种问题。支持引线键合和嵌入的薄型硅电容器,厚度仅为100μm(也能根据要求薄至80μm),对于需要最佳去耦特性的设计人员而言,这是最适合嵌入用途的解决方案。

 

EMSC被优化为多层基板封装、刚性/柔性PCBFR4、陶瓷、玻璃、引线框架或金属薄片的平台。硅电容器技术,提供电容器集成功能(最高250nF/mm2),与现有解决方案相比,可以更加小型化。村田的技术,与钽和MLCC等替代的电容器技术相比,可靠性最高达到后者的10倍,不会发生开裂现象。半导体(硅)技术,在工作电压和工作温度的整个范围内,静电容量极其稳定,并稳定保持高绝缘电阻。这项以硅为基础的技术符合RoHS标准,可以进行无铅回流封装。

 

硅电容器特点

1100μm的超薄型(也能根据要求薄至80μm

2、低ESLESR

3、低漏电流

4、高可靠性

5、嵌入或引线键合解决方案

 

硅电容器用途

1、医疗、航空航天、汽车产业等要求严格的所有用途

2、电源去耦/能动元件滤波

3、高可靠性用途

4、使用电池的设备

5、限制体积的用途

6EMSC系列规格

 

系列一览

 

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